三星HBM内存芯片最新消息,三星电子通过了英伟达测试

三星之前因为种种原因测试不达标，在最新韩媒NewDaily报道中，三星电子通过了英伟达的HBM3e质量测试，也就是高宽带内存的测试，接下来将是大量的生存，一起来看看吧！

7月4日消息，韩媒NewDaily报道称，三星电子通过了英伟达的HBM3e（高带宽内存）质量测试。三星即将开始大规模生产HBM内存芯片，并就供应问题与英伟达展开谈判。

▲三星电子HBM3e12层产品

三星电子最近收到了来自英伟达的HBM3e质量测试PRA（产品准备批准）通知。这是三星应英伟达要求，派遣负责HBM内存开发的高管前往美国一个多月后取得的成果。

据此前报道，今年3月，英伟达CEO黄仁勋表示已经开始验证三星的HBM内存芯片。5月有消息称三星HBM内存芯片因发热和功耗问题未通过英伟达测试。黄仁勋在2024台北国际电脑展上，表示仍在认证三星公司的HBM内存，否认三星HBM未通过任何英伟达测试。

外媒称，三星迫切需要向英伟达供应HBM，通过英伟达测试意味着从下半年开始，HBM的业绩可能实现“飞跃”。受此消息影响，三星电子股价7月4日上涨3.6%，达到4月12日以来的最高点；SK海力士（英伟达HBM内存的主要供应商之一）股价下跌4.7%，创6月24日以来最大跌幅。